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原廠新工廠陸續投產,且3D技術向64層堆疊推進,市場競爭急劇白熱化

文章出處:責任編輯:人氣:發表時間:2016-9-22 17:29:26【

兴发老虎机2016年三星、東芝、美光、SK海力士等紛紛擴大3D NAND投產,三星和東芝3D技術更是增加到64層堆疊,3D NAND大戰可謂一觸即發,預計2016年3D NAND將占整體NAND Flash產能的15%,2017年將提高到30%。

◆ 三星64層3D NAND領先競爭對手在年底前開始供貨

兴发老虎机三星領先業界在2013年采用24層堆疊量產3D NAND,2016年主要是擴大48層3D NAND量產,48層相較于32層堆疊3D NAND生產效率可提高40%,預計在2016年底前三星3D NAND生產比重可提升至40%。三星除了在西安廠量產3D NAND,已將韓國華城Fab 16的16nm 2D NAND改造成20nm 48層3D NAND產線,并計劃再將韓國華城Fab 17產線用于生產3D NAND,以穩固在3D NAND市場的地位。

基于先進的3D技術,三星將850 EVO系列消費類SSD容量提升至4TB,還推出業界首款256GB高容量的嵌入式存儲產品UFS 2。0以及移動存儲產品Micro SD閃存卡,其中嵌入式存儲UFS 2。0最高順序讀寫速度分別達到850MB/s和260MB/s,已超越SATA 6Gbps SSD的讀速度,是為移動設備如:智能型手機、平板等提供更優越的性能表現。

三星消費類SSD 時程圖(Road Map)

三星消費類SSD 時程圖(Road Map)

此外,三星3D NAND已實現了64層堆疊,單顆NAND Flash Die容量增加到512Gb,較48層堆疊的存儲密度增加了一倍,年底前開始供貨,還將在2017年基于64層3D NAND推出容量高達32TB的企業級SAS SSD,并聲稱到2020年將提供超過100TB的SSD。

◆ 東芝Fab 2新工廠投產,且64層256Gb 3D NAND開始送樣

東芝很少公開3D技術相關信息,2016年量產的48層3D NAND也并不對外銷售,現已推出了為超薄移動電腦設計的首款基于NVMe協議的GB系列BGA SSD。東芝還計劃3年內投資額8600億日元,其中包括建新3D NAND工廠,更新現有設備等。

西部數據3D NAND技術發展進程圖

西部數據3D NAND技術發展進程圖

注:2016年5月西部數據完成了對SanDisk的收購

隨著3D技術的不斷提升,東芝宣布64層堆疊3D NAND開始送樣,初期存儲密度為256Gb容量,然后再提高到512Gb量產。另外,東芝在2015年改建的Fab 2工廠已在2016上半年投入生產,隨著3D NAND產量的不斷增加,東芝目標是在2017年將整體3D NAND生產比重提高至50%,2018年度進一步提高至90%左右的水平。

◆ SK海力士48層3D NAND已送樣,3D技術大膽挑戰72層堆疊

SK海力士3D NAND以36層MLC為主,良率可達到90%,除了用于企業級SSD產品中,也正在積極導入嵌入式產品中應用,最新的UFS 2。1和eMMC5。1產品就是采用的SK海力士第二代36層3D NAND,均已進入量產階段。

兴发老虎机據了解,SK海力士第三代48層3D NAND已給客戶送樣,2016年底將完成72層3D NAND研發,但以目前進度而言,SK海力士72層堆疊將有一定的挑戰性。SK海力士目前主要是在韓國清州M11/12工廠生產,還計劃將M14工廠二樓用于生產3D NAND,2017上半年投入生產,而且將投資15.5兆韓元新建一座存儲器工廠,投產項目待定。

◆ 美光3D技術或跳過48層堆疊,2017年直奔64層堆疊

美光3D NAND主要是在新加坡工廠以32層量產,分別為L06B(MLC)和B0KB(TLC)。基于32層TLC 3D NAND,美光面向消費類市場推出了BX300系列和1100系列的3D SSD,最大容量可達2TB,搭載的是Marvell控制芯片Marvell 1074。

兴发老虎机同時,美光也為移動設備推出了一款32GB容量的3D NAND解決方案,支持UFS 2.1規范協議,目前已經送樣給移動客戶端和合作伙伴,預計將在2016年底開始大量出貨,屆時將有高端智能型手機導入3D NAND應用。

另一方面,為了在技術上趕超競爭對手,美光擴建的Fab 10x工廠開始量產,計劃下一代3D技術略過48層,直接跳到64層,而且16nm 2D技術之后也將切換生產3D NAND,預計2017年美光3D NAND投產量也將進一步增加。

◆ 英特爾基于3D Xpoint技術SSD將在2017年上市

英特爾推出了首款用于數據中心存儲的DC P3320系列3D SSD,最高容量為2TB,以及面向高端消費類市場應用的PCIe接口600P系列3D SSD,搭載的是慧榮SMI2260控制芯片。更值得期待的是,英特爾與美光合作研發的3D Xpoint技術,集合了DRAM與NAND Flash數據存儲的優勢,要較傳統NAND Flash速度快1000倍、耐用性強1000倍,存儲密度也較DRAM提高10倍。

英特爾將在2017年基于3D Xpoint技術推出Optane系列SSD,還計劃將Optane引進客戶端市場,推出1TB-15TB的SSD產品。美光SSD則以QuantX來命名,將在2017年第2季推出相關產品。

現在服務器數據存儲與日俱增,對系統快速分析、響應數據的要求也在不斷提升,基于3D Xpoint技術高性能優勢,將最先用于企業級、數據中心存儲。對于消費類市場而言,因為3D Xpoint昂貴的生產成本,所以短時間內很難應用在PC或筆記本上。

主要Flash原廠技術時程圖(Roadmap)

主要Flash原廠技術時程圖(Roadmap)

主要Flash原廠3D技術簡要

主要Flash原廠3D技術簡要

3.中國大力發展集成電路產業,紫光聯合大基金等成立長江存儲科技,影響不可小覷

中國不僅擁有龐大的消費內需,還有聯想、華為、小米、OPPO等終端制造商,再加上中國物聯網的快速發展,以及國家推動大數據和信息安全建設,2014年國家出臺了《國家集成電路產業發展推進綱要》。在國家政策和大基金的扶持下,紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金股份有限公司等成立長江存儲科技有限責任公司,武漢新芯是長江存儲的全資子公司,重點發展存儲器。

紫光集團聯合武漢新芯,不僅能夠做到優勢互補,還能避免重復投資和內部消耗,也代表著國內上下游產業鏈企業協同合作的一個開始。現在武漢新芯正在新建存儲器產線,2018年投入生產,且計劃以3D NAND技術為切入點,預計到2020年可形成月產能30萬片的規模。

紫光集團專注于存儲產業資源上的布局,雖然入股西部數據最終事與愿違,但也試圖與SK海力士、美光等在NAND Flash技術上的合作。紫光還制定了一項規模為300億美元的投資計劃,主攻存儲芯片制造,這對于中國集成電路產業的發展有著積極的推動作用,未來對NAND Flash市場的影響力也將不可小覷,在中國市場的競爭也將更加激烈。


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