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U盤工廠:原廠為何要加快3D NAND投產

文章出處:責任編輯:人氣:發表時間:2016-9-22 17:28:51【

兴发老虎机原廠之所以擴大或加快3D NAND投產,是因為隨著2D NAND制程技術的發展,納米制程向1znm(12-15nm)逼近,越來越接近物理可量產的極限,NAND Flash存儲密度也很難突破128Gb容量,自然也不能給原廠帶來更好的成本效益。

3D技術與2D技術不同,簡單來講,2D NAND好比是平房,3D NAND則猶如聳立的高樓大廈,隨著堆疊層數的增加,存儲密度會翻倍的增長。若3D技術采用48層TLC堆疊的NAND Flash Die容量可提升至256Gb,64層則可實現512Gb容量,不僅輕松突破2D技術128Gb存儲密度的極限,更高容量更是加快NAND Flash成本進一步下滑,給原廠帶來更好的產品收益。

2D和3D技術結構差異

2D和3D技術結構差異

另一方面,2D技術是平面結構,隨著存儲密度的增加,每個電源存儲的電荷量會下降,相鄰存儲單元之間的干擾也會增加,這樣會影響NAND Flash的性能。3D技術采用的是垂直排列立體結構,多層環繞式柵極(GAA)結構形成多電柵級存儲器單元晶體管,可以有效的降低堆棧間的干擾,讓NAND Flash性能更加優異,功耗更低。


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